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Ieee Transactions On Electron Devices雜志在JCR分區(qū)中排名情況如何?

來源:發(fā)表之家網(wǎng)整理 2024-09-12 12:05:28

根據(jù)最新信息《Ieee Transactions On Electron Devices》期刊在JCR分區(qū)中的排名如下:

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)學(xué)科為ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,收錄子集:SCIE,位于Q2區(qū),排名143 / 352,百分位59.5%;PHYSICS, APPLIED,收錄子集:SCIE,位于Q2區(qū),排名68 / 179,百分位62.3%;按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)在學(xué)科為ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,收錄子集:SCIE,位于Q2區(qū),排名145 / 354,百分位59.18%PHYSICS, APPLIED,收錄子集:SCIE,位于Q2區(qū),排名61 / 179,百分位66.2%。

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Ieee Transactions On Electron Devices 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2%

這表明該刊在物理:應(yīng)用領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)影響力和認可度。此外,該刊創(chuàng)刊時間:1954年,影響因子:2.9,出版周期:Monthly、出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.以及收錄情況等信息也為其學(xué)術(shù)影響力提供了有力支持。

影響因子趨勢圖

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

聲明:以上信息摘自網(wǎng)絡(luò)公開資料,如有不準(zhǔn)確,請聯(lián)系我們。

Ieee Transactions On Electron Devices

影響因子:2.9

大類學(xué)科:工程技術(shù)

中科院:2區(qū)