《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志的影響因子為2.9。
影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標，而且也是測度期刊的學術水平，乃至論文質量的重要指標。
以下是如何查看影響因子的幾種方法：
一、通過專業(yè)數(shù)據(jù)庫查詢
1. 通過Web of Science數(shù)據(jù)庫查詢：Web of Science是一個權威的學術數(shù)據(jù)庫，提供期刊影響因子的官方數(shù)據(jù)。
2.中國知網（CNKI）：在CNKI中，用戶可以通過期刊導航功能搜索目標期刊，并在期刊詳情頁面查看其影響因子。
3.使用JCR：JCR是專門提供期刊引證報告的工具，隸屬于Web of Science。
二、查閱學術期刊官方網站
許多學術期刊會在其官方網站上公布最新的影響因子數(shù)據(jù)。
三、參考學術權威指南和排名
影響因子是一個動態(tài)變化的指標，會隨著時間的推移而發(fā)生變化。因此，在查看影響因子時，需要關注其發(fā)布的時間點。
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志創(chuàng)刊于1954年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，出版周期為Monthly，國際簡稱為IEEE T ELECTRON DEV，中文名稱IEEE Transactions On Electron Devices。該雜志旨在及時、準確、全面地報道國內外工程技術-工程：電子與電氣領域取得的最新研究成果、工作進展及學術動態(tài)、技術革新等，促進學術交流，鼓勵學術創(chuàng)新。
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志分區(qū)情況
中科院分區(qū)：在中科院最新升級版分區(qū)表中，大類學科工程技術位于2區(qū)，小類學科PHYSICS, APPLIED物理：應用位于2區(qū)。
JCR分區(qū)：根據(jù)最新JCR分區(qū)， 按JIF指標學科分區(qū)中學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC，位于Q2區(qū)，排名143 / 352，百分位59.5%；PHYSICS, APPLIED，位于Q2區(qū)，排名68 / 179，百分位62.3%； 按JCI指標學科分區(qū)中學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC，位于Q2區(qū)，排名145 / 354，百分位59.18%。PHYSICS, APPLIED，位于Q2區(qū)，排名61 / 179，百分位66.2%。
投稿咨詢| 按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3% |
| 按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
66.2% |
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志評價數(shù)據(jù)
影響因子：2.9
Gold OA文章占比：6.38%
CiteScore：5.8
SJR：0.785
SNIP：1.223
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