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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability SCIE

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability雜志

中科院分區(qū)：3區(qū) JCR分區(qū)：Q2 預(yù)計(jì)審稿周期： 較慢,6-12周

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技術(shù)國(guó)際刊物，國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)為IEEE T DEVICE MAT RE，中文名稱(chēng)IEEE Transactions on Device and Materials Reliability。該刊創(chuàng)刊于2001年，出版周期為Quarterly。 《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》2023年影響因子為2.5，被收錄于國(guó)際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE。

ISSN：1530-4388
研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣
是否預(yù)警：否
E-ISSN：1558-2574
出版地區(qū)：UNITED STATES
Gold OA文章占比：24.52%
語(yǔ)言：English
是否OA：未開(kāi)放
OA被引用占比：0
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Quarterly
影響因子：2.5
創(chuàng)刊時(shí)間：2001
年發(fā)文量：72
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志簡(jiǎn)介

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》重點(diǎn)專(zhuān)注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級(jí)版）
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級(jí)版）
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 3區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)（2023-2024年最新版）
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

  • CiteScore：4.8
  • SJR：0.436
  • SNIP：1.148

CiteScore 排名

學(xué)科類(lèi)別 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%
CiteScore趨勢(shì)圖
年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱(chēng)引用次數(shù)

  • A First-Principles Study of the SF6 Decomposed Products Adsorbed Over Defective WS2 Monolayer as Promising Gas Sensing Device23
  • Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its Impact on Circuit Operation9
  • Comparative Thermal and Structural Characterization of Sintered Nano-Silver and High-Lead Solder Die Attachments During Power Cycling9
  • Output-Power Enhancement for Hot Spotted Polycrystalline Photovoltaic Solar Cells8
  • Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Test Methodology for Predicting Thermomechanical Reliability7
  • Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide Thin Film Capacitive Moisture Sensor7
  • Impacts of Process and Temperature Variations on the Crosstalk Effects in Sub-10 nm Multilayer Graphene Nanoribbon Interconnects6
  • Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories6
  • A Compact and Self-Isolated Dual-Directional Silicon Controlled Rectifier (SCR) for ESD Applications6
  • A Review on Hot-Carrier-Induced Degradation of Lateral DMOS Transistor6

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量

  • USA52
  • CHINA MAINLAND51
  • India50
  • Taiwan35
  • France20
  • Italy18
  • Belgium15
  • Austria14
  • Japan13
  • GERMANY (FED REP GER)12

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)23
  • IMEC15
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)14
  • STMICROELECTRONICS10
  • TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN9
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY8
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY8
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES7
  • GLOBALFOUNDRIES7
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES6

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 雜志社通訊方式

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