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Microelectronic Engineering

Microelectronic Engineering SCIE

微電子工程雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q2 預計審稿周期: 約6.0個月

《Microelectronic Engineering》是一本由Elsevier出版商出版的工程技術(shù)國際刊物,國際簡稱為MICROELECTRON ENG,中文名稱微電子工程。該刊創(chuàng)刊于1983年,出版周期為Monthly。 《Microelectronic Engineering》2023年影響因子為2.6,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:0167-9317
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
是否預警:否
E-ISSN:1873-5568
出版地區(qū):NETHERLANDS
Gold OA文章占比:15.94%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0.1274...
出版商:Elsevier
出版周期:Monthly
影響因子:2.6
創(chuàng)刊時間:1983
年發(fā)文量:100
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導航

Microelectronic Engineering 雜志簡介

《Microelectronic Engineering》重點專注發(fā)布工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域,有較高影響力,對來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Microelectronic Engineering 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果,是衡量學術(shù)期刊影響力的一個重要指標,一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認為是該學科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標,不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標。

Microelectronic Engineering 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 157 / 352

55.5%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.2%

學科:OPTICS SCIE Q2 45 / 119

62.6%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 179

55%

按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%

學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 74 / 140

47.5%

學科:OPTICS SCIE Q3 64 / 120

47.08%

學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 88 / 179

51.12%

Microelectronic Engineering CiteScore 評價數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:5.3
  • SJR:0.503
  • SNIP:0.847

CiteScore 排名

學科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q2 127 / 434

70%

大類:Physics and Astronomy 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 68 / 224

69%

大類:Physics and Astronomy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 242 / 797

69%

大類:Physics and Astronomy 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 87 / 284

69%

大類:Physics and Astronomy 小類:Surfaces, Coatings and Films Q2 42 / 132

68%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學術(shù)期刊質(zhì)量的指標,該指標是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標,給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Microelectronic Engineering 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Beyond the lateral flow assay: A review of paper-based microfluidics40
  • 3D printed microfluidics and microelectronics36
  • Brain-inspired computing with resistive switching memory (RRAM): Devices, synapses and neural networks36
  • Emerging trends in wide band gap semiconductors (SiC and GaN) technology for power devices32
  • Focused electron beam induced deposition meets materials science29
  • Micropumps and biomedical applications - A review25
  • Conduction mechanisms, dynamics and stability in ReRAMs17
  • Beyond 100 nm resolution in 3D laser lithography - Post processing solutions17
  • Microfluidic platforms for cell cultures and investigations17
  • Using block copolymers as infiltration sites for development of future nanoelectronic devices: Achievements, barriers, and opportunities11

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND104
  • South Korea80
  • France56
  • USA47
  • Japan45
  • GERMANY (FED REP GER)41
  • India36
  • Taiwan31
  • Greece27
  • Italy27

機構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)38
  • CEA22
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES18
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES15
  • FUDAN UNIVERSITY14
  • TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK13
  • AUTONOMOUS UNIVERSITY OF BARCELONA12
  • CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR)12
  • NATIONAL CENTRE OF SCIENTIFIC RESEARCH DEMOKRITOS12
  • CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC)10

Microelectronic Engineering 雜志社通訊方式

《Microelectronic Engineering》雜志通訊方式為:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務,SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

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