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Ieee Magnetics Letters

Ieee Magnetics Letters SCIE

IEEE Magnetics Letters雜志

中科院分區(qū)：4區(qū) JCR分區(qū)：Q4 預(yù)計(jì)審稿周期：

《Ieee Magnetics Letters》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的物理與天體物理國(guó)際刊物，國(guó)際簡(jiǎn)稱為IEEE MAGN LETT，中文名稱IEEE Magnetics Letters。該刊創(chuàng)刊于2010年，出版周期為1 issue/year。 《Ieee Magnetics Letters》2023年影響因子為1.1，被收錄于國(guó)際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE。

ISSN：1949-307X
研究方向：PHYSICS, APPLIED
是否預(yù)警：否
E-ISSN：1949-3088
出版地區(qū)：UNITED STATES
Gold OA文章占比：18.31%
語(yǔ)言：English
是否OA：未開放
OA被引用占比：0.0183...
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：1 issue/year
影響因子：1.1
創(chuàng)刊時(shí)間：2010
年發(fā)文量：33
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Ieee Magnetics Letters 雜志簡(jiǎn)介

《Ieee Magnetics Letters》重點(diǎn)專注發(fā)布PHYSICS, APPLIED領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在PHYSICS, APPLIED領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Magnetics Letters 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Magnetics Letters 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)（2023-2024年最新版）
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 352

21.2%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 152 / 179

15.4%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 284 / 354

19.92%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 148 / 179

17.6%

Ieee Magnetics Letters CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)（2024年最新版）

  • CiteScore：2.4
  • SJR：0.314
  • SNIP：0.505

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 189 / 284

33%
CiteScore趨勢(shì)圖
年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Magnetics Letters 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Experimental Demonstration of a Josephson Magnetic Memory Cell With a Programmable pi-Junction11
  • Experimental Validation of a Frequency-Selective Surface-Loaded Hybrid Metamaterial Absorber With Wide Bandwidth10
  • Low-Barrier Magnet Design for Efficient Hardware Binary Stochastic Neurons9
  • Equivalent Circuit Model for the Design of Frequency-Selective, Terahertz-Ban Graphene-Based Metamaterial Absorbers7
  • Area-Efficient Nonvolatile Flip-Flop Based on Spin Hall Effect7
  • Concurrent Core Loss Suppression and High Permeability by Introduction of Highly Insulating Intergranular Magnetic Inclusions to MnZn Ferrite6
  • Reliability and Scalability of p-Bits Implemented With Low Energy Barrier Nanomagnets5
  • Area-Efficient Multibit-per-Cell Architecture for Spin-Orbit-Torque Magnetic Random-Access Memory With Dedicated Diodes5
  • Micromagnetic Analysis of Statistical Switching in Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions With Double Reference Layers5
  • Reliable Five-Nanosecond Writing of Spin-Transfer Torque Magnetic Random-Access Memory5

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量

  • USA66
  • CHINA MAINLAND41
  • Russia34
  • Japan22
  • GERMANY (FED REP GER)16
  • South Korea12
  • Spain12
  • France11
  • India11
  • Italy9

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES17
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)8
  • LOMONOSOV MOSCOW STATE UNIVERSITY8
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES6
  • IMMANUEL KANT BALTIC FEDERAL UNIVERSITY6
  • KOTELNIKOV INSTITUTE OF RADIOENGINEERING & ELECTRONICS6
  • PURDUE UNIVERSITY SYSTEM6
  • AIR FORCE ENGINEERING UNIVERSITY5
  • NORTHEASTERN UNIVERSITY5
  • SOONGSIL UNIVERSITY5

Ieee Magnetics Letters 雜志社通訊方式

《Ieee Magnetics Letters》雜志通訊方式為：445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù)，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學(xué)術(shù)規(guī)范，詳情請(qǐng)咨詢客服。

免責(zé)聲明

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