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Iet Circuits Devices & Systems

Iet Circuits Devices & Systems SCIE

集成電路設(shè)備和系統(tǒng)雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q4 預(yù)計(jì)審稿周期: 較慢,6-12周

《Iet Circuits Devices & Systems》是一本由Wiley出版商出版的工程技術(shù)國(guó)際刊物,國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)為IET CIRC DEVICE SYST,中文名稱(chēng)集成電路設(shè)備和系統(tǒng)。該刊創(chuàng)刊于2007年,出版周期為Bi-monthly。 《Iet Circuits Devices & Systems》2023年影響因子為1,被收錄于國(guó)際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE。

ISSN:1751-858X
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1751-8598
出版地區(qū):ENGLAND
Gold OA文章占比:69.13%
語(yǔ)言:English
是否OA:開(kāi)放
OA被引用占比:0.0109...
出版商:Wiley
出版周期:Bi-monthly
影響因子:1
創(chuàng)刊時(shí)間:2007
年發(fā)文量:26
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Iet Circuits Devices & Systems 雜志簡(jiǎn)介

《Iet Circuits Devices & Systems》重點(diǎn)專(zhuān)注發(fā)布工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域,有較高影響力,對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Iet Circuits Devices & Systems 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級(jí)版)
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo),不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Iet Circuits Devices & Systems 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 285 / 352

19.2%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 287 / 354

19.07%

Iet Circuits Devices & Systems CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:3.8
  • SJR:0.289
  • SNIP:0.595

CiteScore 排名

學(xué)科類(lèi)別 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Control and Systems Engineering Q2 137 / 321

57%

大類(lèi):Engineering 小類(lèi):Electrical and Electronic Engineering Q2 350 / 797

56%

CiteScore趨勢(shì)圖
年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Iet Circuits Devices & Systems 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱(chēng)引用次數(shù)

  • Novel CNFET ternary circuit techniques for high-performance and energy-efficient design10
  • Novel CMOS MO-CFDITA based fully electronically controlled square/triangular wave generator with adjustable duty cycle7
  • Efficient designs of reversible latches with low quantum cost7
  • Efficient design of coplanar ripple carry adder in QCA7
  • Widely tunable low-pass g(m) - C filter for biomedical applications6
  • Tuning approach for first-order filters and new current-mode circuit example6
  • Transmission gate-based 9T SRAM cell for variation resilient low power and reliable internet of things applications6
  • Fault-tolerant delay cell for ring oscillator application in 65 nm CMOS technology5
  • Light activation of noise at microwave frequencies: a study on scaled gallium arsenide HEMT's5
  • Analytical modelling and parameters extraction of multilayered OLED5

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量

  • India169
  • CHINA MAINLAND68
  • Iran53
  • USA35
  • Canada22
  • Taiwan21
  • South Korea17
  • Turkey14
  • Egypt9
  • France9

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)47
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)37
  • ISLAMIC AZAD UNIVERSITY17
  • JADAVPUR UNIVERSITY11
  • XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY10
  • SHAHID BAHONAR UNIVERSITY OF KERMAN (SBUK)8
  • BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & SCIENCE PILANI (BITS PILANI)6
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY6
  • ANNA UNIVERSITY5
  • BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY5

Iet Circuits Devices & Systems 雜志社通訊方式

《Iet Circuits Devices & Systems》雜志通訊方式為:WILEY, 111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請(qǐng)咨詢(xún)客服。

SCI期刊分類(lèi)導(dǎo)航

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