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Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics SCIE

納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志雜志

中科院分區(qū)：4區(qū) JCR分區(qū)：Q4 預(yù)計(jì)審稿周期： 約1.0個(gè)月

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》是一本由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商出版的工程技術(shù)國(guó)際刊物，國(guó)際簡(jiǎn)稱為J NANOELECTRON OPTOE，中文名稱納米電子學(xué)與光電子學(xué)雜志。該刊創(chuàng)刊于2006年，出版周期為Tri-annual。 《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》2023年影響因子為0.6，被收錄于國(guó)際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE。

ISSN：1555-130X
研究方向：工程：電子與電氣-工程技術(shù)
是否預(yù)警：是
E-ISSN：1555-1318
出版地區(qū)：UNITED STATES
Gold OA文章占比：0.00%
語(yǔ)言：English
是否OA：未開(kāi)放
OA被引用占比：0
出版商：AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
出版周期：Tri-annual
影響因子：0.6
創(chuàng)刊時(shí)間：2006
年發(fā)文量：179
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志簡(jiǎn)介

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》重點(diǎn)專注發(fā)布工程：電子與電氣-工程技術(shù)領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程：電子與電氣-工程技術(shù)領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級(jí)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)（2023-2024年最新版）
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 319 / 352

9.5%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 134 / 140

4.6%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 171 / 179

4.7%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 336 / 354

5.23%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 133 / 140

5.36%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.51%

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Investigation of Ta/NII-WO3/FTO Structures as a Semiconductor for the Future of Nanodevices10
  • A One Pot Room Temperature Synthesis of Pure and Zn Doped PbI2 Nanostructures and Their Structural, Morphological, Optical, Dielectric and Radiation Studies9
  • Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection8
  • Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxide (GO) Nanocomposites Based Li-Ion Batteries: Experimental and Theoretical Studies8
  • Hydrothermally Grown Copper-Doped ZnO Nanorods on Flexible Substrate7
  • High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate6
  • Effect of the Electrolyte on Capacitive Behavior of Supercapacitor Electrodes6
  • On the Frequency-Voltage Dependence Profile of Complex Dielectric, Complex Electric Modulus and Electrical Conductivity in Al/ZnO/p-GaAs Type Structure at Room Temperature6
  • Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance6
  • Flexible Sensors Based on Ag/Polyimide Substrates and Pd-ZnO Sensing Films6

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND322
  • India133
  • South Korea50
  • Saudi Arabia44
  • Iran41
  • Egypt31
  • Pakistan30
  • Malaysia27
  • Turkey26
  • Algeria24

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)47
  • ISLAMIC AZAD UNIVERSITY16
  • COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CUI)15
  • ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY15
  • CHONGQING UNIVERSITY14
  • UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA14
  • KING KHALID UNIVERSITY12
  • KING SAUD UNIVERSITY10
  • ASSIUT UNIVERSITY9
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES9

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志社通訊方式

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》雜志通訊方式為：AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù)，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學(xué)術(shù)規(guī)范，詳情請(qǐng)咨詢客服。

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù)，請(qǐng)聯(lián)系出版商：AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439。