亚洲激情综合另类男同-中文字幕一区亚洲高清-欧美一区二区三区婷婷月色巨-欧美色欧美亚洲另类少妇

Journal Of Vacuum Science & Technology B

Journal Of Vacuum Science & Technology B SCIE

真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)B雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q3 預(yù)計(jì)審稿周期: 約3.0個(gè)月

《Journal Of Vacuum Science & Technology B》是一本由A V S AMER INST PHYSICS出版商出版的工程技術(shù)國際刊物,國際簡稱為J VAC SCI TECHNOL B,中文名稱真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)B。該刊創(chuàng)刊于1991年,出版周期為Bimonthly。 《Journal Of Vacuum Science & Technology B》2023年影響因子為1.5,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:1071-1023
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
是否預(yù)警:否
E-ISSN:2166-2754
出版地區(qū):UNITED STATES
Gold OA文章占比:16.37%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0.1270...
出版商:A V S AMER INST PHYSICS
出版周期:Bimonthly
影響因子:1.5
創(chuàng)刊時(shí)間:1991
年發(fā)文量:197
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Journal Of Vacuum Science & Technology B 雜志簡介

《Journal Of Vacuum Science & Technology B》重點(diǎn)專注發(fā)布工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域,有較高影響力,對(duì)來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Journal Of Vacuum Science & Technology B 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo),不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Journal Of Vacuum Science & Technology B 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 252 / 352

28.6%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140

18.2%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 134 / 179

25.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 354

21.61%

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140

18.21%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 179

19.27%

Journal Of Vacuum Science & Technology B 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Review Article: Synthesis, properties, and applications of fluorescent diamond particles21
  • Review Article: Atomic layer deposition of optoelectronic materials14
  • Tutorial on interpreting x-ray photoelectron spectroscopy survey spectra: Questions and answers on spectra from the atomic layer deposition of Al2O3 on silicon9
  • Future prospects of fluoride based upconversion nanoparticles for emerging applications in biomedical and energy harvesting7
  • Realizing ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 with elemental capping layers7
  • High-density energy storage in Si-doped hafnium oxide thin films on area-enhanced substrates6
  • Minimal domain size necessary to simulate the field enhancement factor numerically with specified precision6
  • Direct metal etch of ruthenium for advanced interconnect6
  • Reduced twinning and surface roughness of Bi2Se3 and Bi2Te3 layers grown by molecular beam epitaxy on sapphire substrates6
  • Atomic force microscope integrated with a scanning electron microscope for correlative nanofabrication and microscopy6

Journal Of Vacuum Science & Technology B 雜志社通訊方式

《Journal Of Vacuum Science & Technology B》雜志通訊方式為:A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請(qǐng)咨詢客服。

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。