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Ieee Electron Device Letters

Ieee Electron Device Letters SCIE

IEEE 電子器件字母雜志

中科院分區(qū)：2區(qū) JCR分區(qū)：Q2 預(yù)計審稿周期： 約1.3個月

《Ieee Electron Device Letters》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技術(shù)國際刊物，國際簡稱為IEEE ELECTR DEVICE L，中文名稱IEEE 電子器件字母。該刊創(chuàng)刊于1980年，出版周期為Monthly。 《Ieee Electron Device Letters》2023年影響因子為4.1，被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN：0741-3106
研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣
是否預(yù)警：否
E-ISSN：1558-0563
出版地區(qū)：UNITED STATES
Gold OA文章占比：4.62%
語言：English
是否OA：未開放
OA被引用占比：0
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
影響因子：4.1
創(chuàng)刊時間：1980
年發(fā)文量：477
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Ieee Electron Device Letters 雜志簡介

《Ieee Electron Device Letters》重點專注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。根據(jù)網(wǎng)友分享的投稿經(jīng)驗，平均審稿速度為 約1.3個月 。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，影響力非凡，對來稿文章質(zhì)量要求很高，稿件投稿過審難度很大，刊登文章的學(xué)術(shù)水平和編輯質(zhì)量在同類雜志中均名列前茅。如果你想在該雜志上發(fā)表論文，你可以向編輯部提交文章，但文章必須具有重要意義并代表該領(lǐng)域?qū)I(yè)的發(fā)展。我們歡迎廣大同領(lǐng)域的研究者提交投稿。

Ieee Electron Device Letters 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 2區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 否 否
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國科學(xué)院文獻情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo)，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Electron Device Letters 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫（2023-2024年最新版）
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352

73.4%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354

78.39%

Ieee Electron Device Letters CiteScore 評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）

  • CiteScore：8.2
  • SJR：1.25
  • SNIP：1.5

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797

84%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284

82%
CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Electron Device Letters 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV38
  • An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor36
  • Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs28
  • Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque27
  • Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping27
  • beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz26
  • Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation24
  • 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs24
  • Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2)23
  • First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications22

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND577
  • USA282
  • South Korea174
  • Taiwan123
  • Japan65
  • England60
  • India49
  • Belgium37
  • GERMANY (FED REP GER)37
  • France32

機構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES84
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM70
  • XIDIAN UNIVERSITY56
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY49
  • HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY48
  • PEKING UNIVERSITY42
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA42
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)36
  • IMEC35
  • NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY35

Ieee Electron Device Letters 雜志社通訊方式

《Ieee Electron Device Letters》雜志通訊方式為：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù)，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學(xué)術(shù)規(guī)范，詳情請咨詢客服。

免責(zé)聲明

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