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Solid-state Electronics

Solid-state Electronics SCIE

固態(tài)電子雜志

中科院分區(qū)：4區(qū) JCR分區(qū)：Q3 預(yù)計審稿周期： 一般,3-6周 約9.2周

《Solid-state Electronics》是一本由Elsevier Ltd出版商出版的物理與天體物理國際刊物，國際簡稱為SOLID STATE ELECTRON，中文名稱固態(tài)電子。該刊創(chuàng)刊于1960年，出版周期為Monthly。 《Solid-state Electronics》2023年影響因子為1.4，被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN：0038-1101
研究方向：物理-工程：電子與電氣
是否預(yù)警：否
E-ISSN：1879-2405
出版地區(qū)：UNITED STATES
Gold OA文章占比：18.40%
語言：English
是否OA：未開放
OA被引用占比：0.0126...
出版商：Elsevier Ltd
出版周期：Monthly
影響因子：1.4
創(chuàng)刊時間：1960
年發(fā)文量：175
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Solid-state Electronics 雜志簡介

《Solid-state Electronics》重點專注發(fā)布物理-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在物理-工程：電子與電氣領(lǐng)域，有較高影響力，對來稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Solid-state Electronics 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo)，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Solid-state Electronics 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫（2023-2024年最新版）
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 259 / 352

26.6%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 138 / 179

23.2%
學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 61 / 79

23.4%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 261 / 354

26.41%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 133 / 179

25.98%
學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 54 / 79

32.28%

Solid-state Electronics CiteScore 評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）

  • CiteScore：3
  • SJR：0.348
  • SNIP：0.655

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering Q3 419 / 797

47%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics Q3 245 / 434

43%
大類：Engineering 小類：Materials Chemistry Q3 182 / 317

42%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 169 / 284

40%
CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Solid-state Electronics 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Lightweight flexible indium-free oxide TFTs with AND logic function employing chitosan biopolymer as self-supporting layer21
  • The photovoltaic impact of atomic layer deposited TiO2 interfacial layer on Si-based photodiodes12
  • Current-voltage analytical model and multiobjective optimization of design of a short channel gate-all-around-junctionless MOSFET11
  • Low-voltage electric-double-layer MoS2 transistor gated via water solution11
  • Effect of defect creation and migration on hump characteristics of a-InGaZnO thin film transistors under long-term drain bias stress with light illumination11
  • Characterization and modeling of 28-nm FDSOI CMOS technology down to cryogenic temperatures10
  • Improve the performance of CZTSSe solar cells by applying a SnS BSF layer10
  • A review on terahertz photogalvanic spectroscopy of Bi2Te3- and Sb2Te3-based three dimensional topological insulators8
  • Multi-layer WSe2 field effect transistor with improved carrier-injection contact by using oxygen plasma treatment8
  • SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: In situ fabrication and enhanced gas sensing performance7

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • South Korea131
  • CHINA MAINLAND104
  • France76
  • USA53
  • GERMANY (FED REP GER)36
  • India24
  • Spain21
  • England17
  • Belgium16
  • Japan16

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)55
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES38
  • UNIVERSITE DE SAVOIE33
  • CEA32
  • SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)26
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES23
  • KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY17
  • STMICROELECTRONICS16
  • POHANG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY (POSTECH)12
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)11

Solid-state Electronics 雜志社通訊方式

《Solid-state Electronics》雜志通訊方式為：PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。詳細(xì)征稿細(xì)則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù)，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學(xué)術(shù)規(guī)范，詳情請咨詢客服。

免責(zé)聲明

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