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Journal Of Crystal Growth

Journal Of Crystal Growth SCIE

晶體生長(zhǎng)雜志雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q3 預(yù)計(jì)審稿周期: 約2.6個(gè)月 約10周

《Journal Of Crystal Growth》是一本由Elsevier出版商出版的材料科學(xué)國(guó)際刊物,國(guó)際簡(jiǎn)稱為J CRYST GROWTH,中文名稱晶體生長(zhǎng)雜志。該刊創(chuàng)刊于1967年,出版周期為Biweekly。 《Journal Of Crystal Growth》2023年影響因子為1.7,被收錄于國(guó)際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE。

ISSN:0022-0248
研究方向:化學(xué)-晶體學(xué)
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1873-5002
出版地區(qū):NETHERLANDS
Gold OA文章占比:16.22%
語(yǔ)言:Multi-Language
是否OA:未開(kāi)放
OA被引用占比:0.0202...
出版商:Elsevier
出版周期:Biweekly
影響因子:1.7
創(chuàng)刊時(shí)間:1967
年發(fā)文量:306
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Journal Of Crystal Growth 雜志簡(jiǎn)介

《Journal Of Crystal Growth》重點(diǎn)專注發(fā)布化學(xué)-晶體學(xué)領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在化學(xué)-晶體學(xué)領(lǐng)域,有較高影響力,對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Journal Of Crystal Growth 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學(xué) 4區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學(xué) 3區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學(xué) 3區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學(xué) 3區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
材料科學(xué) 3區(qū) CRYSTALLOGRAPHY 晶體學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo),不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Journal Of Crystal Growth 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 17 / 33

50%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 321 / 438

26.8%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 125 / 179

30.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:CRYSTALLOGRAPHY SCIE Q3 19 / 33

43.94%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 249 / 438

43.26%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 104 / 179

42.18%

Journal Of Crystal Growth CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:3.6
  • SJR:0.379
  • SNIP:0.768

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q2 205 / 434

52%

大類:Physics and Astronomy 小類:Inorganic Chemistry Q2 40 / 79

50%

大類:Physics and Astronomy 小類:Materials Chemistry Q3 162 / 317

49%

CiteScore趨勢(shì)圖
年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Journal Of Crystal Growth 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Improvement mechanism of sputtered AlN films by high-temperature annealing18
  • Heteroepitaxial growth of alpha beta gamma- and kappa-Ga2O3 phases by metalorganic vapor phase epitaxy17
  • Synthesis and single crystal growth of perovskite semiconductor CsPbBr315
  • Doping of Czochralski-grown bulk beta-Ga2O3 single crystals with Cr, Ce and Al14
  • Crystal growth and scintillation performance of Cs2HfCl6 and Cs2HfCl4Br211
  • Competitive grain growth and dendrite morphology evolution in selective laser melting of Inconel 718 superalloy10
  • Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition10
  • Influence of aqueous Mg concentration on the transformation of amorphous calcium carbonate10
  • The effect of different amino acids on spontaneous precipitation of calcium carbonate polymorphs10
  • Epitaxial growth of undoped and Li-doped NiO thin films on alpha-Al2O3 substrates by mist chemical vapor deposition9

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND389
  • Japan241
  • USA197
  • GERMANY (FED REP GER)136
  • Russia105
  • France72
  • India69
  • Taiwan33
  • Canada32
  • Poland31

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES101
  • RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES74
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)54
  • TOHOKU UNIVERSITY38
  • UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE)37
  • NAGOYA UNIVERSITY33
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES30
  • LEIBNIZ INSTITUT FUR KRISTALLZUCHTUNG (IKZ)29
  • NORTHWESTERN POLYTECHNICAL UNIVERSITY21
  • OSAKA UNIVERSITY21

Journal Of Crystal Growth 雜志社通訊方式

《Journal Of Crystal Growth》雜志通訊方式為:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請(qǐng)咨詢客服。

免責(zé)聲明

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