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Ieee Transactions On Nuclear Science

Ieee Transactions On Nuclear Science SCIE

IEEE核科學(xué)匯刊雜志

中科院分區(qū)：3區(qū) JCR分區(qū)：Q1 預(yù)計審稿周期： 約3.0個月

《Ieee Transactions On Nuclear Science》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技術(shù)國際刊物，國際簡稱為IEEE T NUCL SCI，中文名稱IEEE核科學(xué)匯刊。該刊創(chuàng)刊于1954年，出版周期為Bimonthly。 《Ieee Transactions On Nuclear Science》2023年影響因子為1.9，被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN：0018-9499
研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣
是否預(yù)警：否
E-ISSN：1558-1578
出版地區(qū)：UNITED STATES
Gold OA文章占比：16.44%
語言：English
是否OA：未開放
OA被引用占比：0
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Bimonthly
影響因子：1.9
創(chuàng)刊時間：1954
年發(fā)文量：330
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志簡介

《Ieee Transactions On Nuclear Science》重點專注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，有較高影響力，對來稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 1區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) 4區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 2區(qū) 3區(qū) 否 否
中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級版）
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 1區(qū) 3區(qū) 是 否
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo)，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫（2023-2024年最新版）
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352

40.2%
學(xué)科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q1 10 / 40

76.3%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 354

58.05%
學(xué)科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY SCIE Q2 13 / 40

68.75%

Ieee Transactions On Nuclear Science CiteScore 評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）

  • CiteScore：3.7
  • SJR：0.537
  • SNIP：1.339

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類：Energy 小類：Nuclear Energy and Engineering Q2 23 / 77

70%
大類：Energy 小類：Nuclear and High Energy Physics Q2 31 / 87

64%
大類：Energy 小類：Electrical and Electronic Engineering Q2 361 / 797

54%
CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Needs, Trends, and Advances in Inorganic Scintillators53
  • Evolution of Total Ionizing Dose Effects in MOS Devices With Moore's Law Scaling15
  • Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate12
  • Displacement Damage in Silicon Detectors for High Energy Physics11
  • Improvement of the Time Resolution of Radiation Detectors Based on Gd3Al2Ga3O12 Scintillators With SiPM Readout11
  • Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses9
  • LHC and HL-LHC: Present and Future Radiation Environment in the High-Luminosity Collision Points and RHA Implications9
  • Thin Silicon Microdosimeter Utilizing 3-D MEMS Fabrication Technology: Charge Collection Study and Its Application in Mixed Radiation Fields9
  • Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal9
  • Single-Event Burnout Mechanisms in SiC Power MOSFETs8

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • USA331
  • CHINA MAINLAND200
  • France185
  • Italy105
  • Switzerland95
  • Japan78
  • GERMANY (FED REP GER)53
  • South Korea44
  • England41
  • Russia37

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE)105
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES100
  • VANDERBILT UNIVERSITY93
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)80
  • EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN)76
  • CEA73
  • ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN)58
  • UNIVERSITE DE TOULOUSE34
  • UNIVERSITE DE MONTPELLIER31
  • UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE29

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志社通訊方式

《Ieee Transactions On Nuclear Science》雜志通訊方式為：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細(xì)征稿細(xì)則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù)，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學(xué)術(shù)規(guī)范，詳情請咨詢客服。

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